








我們收到某批次PCB板在SMT加工后,出現(xiàn)了通孔阻值變大的現(xiàn)象。5片NG樣品(含標(biāo)記NG孔位)及5片PCB光板進(jìn)行失效分析查明其失效原因。接下來(lái)將詳細(xì)解析這一失效案例的分析過(guò)程,幫助大家理解背后的技術(shù)原因。
1.外觀檢查&電性能檢查
外觀檢查顯示NG樣品和PCB光板表面未發(fā)現(xiàn)明顯異常。
阻值測(cè)試發(fā)現(xiàn)NG通孔確實(shí)存在阻值變大甚至開(kāi)路的現(xiàn)象;PCB光板中,相同位置的過(guò)孔阻值表現(xiàn)為正常。
2.無(wú)損檢測(cè)
對(duì)通孔進(jìn)行透視觀察,并與PCB光板通孔進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn):NG樣品NG通孔未發(fā)現(xiàn)孔銅缺失、斷裂等明顯異常現(xiàn)象。
3.切片分析
NG樣品:所有通孔孔銅均存在開(kāi)裂,且孔銅的晶粒明顯存在異常,且晶粒之間存在晶格缺陷。
PCB光板:PCB光板樣品通孔孔銅良好,且孔銅晶粒成型正常。
綜上可知,導(dǎo)致NG樣品通孔阻值變大的直接原因?yàn)椋和卓足~存在開(kāi)裂異常。
除NG通孔外,NG樣品中其他位置通孔孔銅亦存在斷裂現(xiàn)象,該通孔孔銅斷裂應(yīng)與孔銅晶粒組織異常相關(guān)。
4.SEM+EDS
NG通孔:NG通孔孔銅的銅厚約為26.0~31.4μm,晶界缺陷嚴(yán)重,開(kāi)裂位置表現(xiàn)為沿晶界開(kāi)裂。
OK通孔:OK通孔孔銅的銅厚約為20.8~27.2μm,通孔孔銅晶粒良好。
綜上可知,NG樣品通孔表現(xiàn)為沿晶界開(kāi)裂,晶界缺陷嚴(yán)重。NG通孔相比OK通孔,其抗拉強(qiáng)度和延展性嚴(yán)重降低,致使在焊接組裝過(guò)程中,孔銅受應(yīng)力發(fā)生開(kāi)裂。
5.熱應(yīng)力分析
為確認(rèn)PCB光板的耐熱沖擊能力是否符合要求,參考IPC-TM-650 2.4.13.1 層壓板熱應(yīng)力測(cè)試方法,對(duì)PCB光板樣品進(jìn)行熱應(yīng)力測(cè)試,測(cè)試后發(fā)現(xiàn)PCB光板樣品表面未發(fā)現(xiàn)明顯異常且熱應(yīng)力測(cè)試后通孔良好,未發(fā)現(xiàn)孔銅斷裂現(xiàn)象,且孔銅晶粒成型良好。
綜上可知,該批次的PCB光板耐熱性良好。
6.熱性能分析
為確認(rèn)樣品NG是否與板材本身的熱膨脹系數(shù)過(guò)大有關(guān),對(duì)NG樣品、PCB光板分別進(jìn)行Z軸膨脹系數(shù)Z-CTE測(cè)試,結(jié)果如下所示:
Z軸膨脹系數(shù)Z-CTE:在NG樣品和PCB光板樣品相同位置取測(cè)試樣品,參考IPC TM-650 2.4.24C玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和Z軸膨脹(TMA法)測(cè)量其Z-CTE。
對(duì)比NG樣品與PCB光板的Z-CTE,發(fā)現(xiàn)兩樣品的Tg前以及Tg后的Z-CTE都相差不大,故樣品失效應(yīng)與板材本身的膨脹系數(shù)無(wú)關(guān)。
圖11.Z軸線性膨脹系數(shù)測(cè)試結(jié)果曲線圖片
7.分析與總結(jié)
分析:PCB板在SMT后出現(xiàn)通孔阻值變大。電性能檢測(cè)確認(rèn)失效通孔阻值異常甚至開(kāi)路,但外觀和X-Ray檢查未發(fā)現(xiàn)明顯異常。
切片分析揭示:失效樣品(包括失效孔及其他孔)均存在孔銅開(kāi)裂,且晶粒異常(晶界間隙大、缺陷嚴(yán)重),導(dǎo)致抗拉強(qiáng)度與延展性不足,受SMT熱應(yīng)力易開(kāi)裂。相比之下,PCB光板孔銅結(jié)構(gòu)良好、晶粒正常,熱應(yīng)力測(cè)試后也無(wú)開(kāi)裂。兩板材的Z軸熱膨脹系數(shù)(Z-CTE)相近,排除基材膨脹影響。
綜上,孔銅開(kāi)裂失效的根本原因在于電鍍工藝異常導(dǎo)致的晶粒組織缺陷。
總結(jié):導(dǎo)致NG樣品通孔阻值變大的直接原因?yàn)椋和卓足~存在開(kāi)裂現(xiàn)象。導(dǎo)致孔銅開(kāi)裂的根本原因?yàn)椋和卓足~的電鍍銅工藝存在問(wèn)題,致使銅晶粒異常,導(dǎo)致孔銅的抗拉強(qiáng)度和延伸能力嚴(yán)重不足,在焊接組裝受熱過(guò)程中,孔銅易受應(yīng)力發(fā)生開(kāi)裂。





