







OSP表面處理工藝具有控制簡單、成本低廉、表面平整等優點,越來越廣泛應用于PCB生產制造中。然而,在實際生產過程中,工藝不良、產品儲存或使用不當等都容易導致OSP板出現表面變色、膜厚不均勻、焊盤上錫不良、虛焊及焊錫不飽滿等問題。
某OSP 焊盤過兩次爐溫后,波峰焊出現嚴重的上錫不良。降低爐溫后,無可焊性問題。本文將以OSP焊盤上錫不良為例,分析其失效原因與機理,并提出改善建議。
1.外觀檢查 NG PCBA多數波峰焊點孔環表面存在明顯上錫不良現象,呈現退潤濕及不潤濕特征;不潤濕位置呈現OSP膜層顏色,疑似OSP膜層未被去除。
圖1.NG PCBA上錫不良波峰焊點外觀檢查照片
2.表面分析 潤濕不良位置表面平整,表面無明顯焊錫殘留現象;成分分析顯示,潤濕不良位置未發現明顯異常元素存在;Cl元素推測來自未去除OSP膜層成分,后續通過其他分析手段進一步確認。
圖2.NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置形貌觀察及成分分析
3.剖面分析 潤濕不良位置1無明顯焊錫殘留,形貌放大后,局部疑似OSP膜層殘留; 潤濕不良位置2 FIB切割后,明顯發現OSP膜層殘留現象。
圖3.NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置切片、FIB切割后截面形貌觀察照片
4.OSP膜層成分分析 為了表征OSP有機膜受熱分解程度及對比NG批次PCB光板(命名為樣品A)與對比PCB光板(命名為樣品B)OSP膜層成分是否存在差異,分別對NG批次PCB光板、對比PCB光板、二次回流NG批次PCB光板(命名為樣品C)OSP膜層成分進行分析,結果如下。 4.1 FT-IR分析 如圖4所示,紅外光譜分析結果顯示: ①樣品A OSP膜紅外光譜信息弱,相較于樣品B OSP膜紅外光譜信息弱,表明樣品A OSP膜厚度可能較薄; ②樣品C OSP膜紅外光譜中出現了新的N-H官能團,表明OSP膜經過二次回流可能發生了結構變化。
圖4.OSP膜層紅外譜圖
4.2 XPS分析 XPS分析結果顯示: ①三個樣品孔環OSP膜表面主要測到 C/O/N/Cl/Cu/Si 等元素,樣品C表面也測到少量的Sn; ②三個樣品表面的Si主要判定為有機硅、N為有機氮、Cl的化學態包含有機氯和氯化銅;其中A和B樣品表面的成分比較接近:有機物有芳香環結構(π-π),銅主要為氯化亞銅(CuCl);而樣品C表面未測到明顯的芳香環結構,且有機物酯類比較明顯,銅主要為氫氧化銅【Cu(OH)2】和氯化亞銅(CuCl)的混合; ③樣品C表面測到的Sn主要為氧化錫。
圖5. XPS分析譜圖
5.OSP膜厚測試 對樣品A、樣品B及樣品C OSP膜層分別進行觀察及厚度測量,結果如下: ①樣品A與樣品B OSP膜層形貌無明顯差異,但厚度差異明顯; ② 樣品A與樣品C OSP膜層形貌存在明顯差異,樣品C膜層內部彌散分布較多顆粒狀物質,而樣品A膜層未觀察到該現象;樣品A、樣品C膜層厚度較樣品B膜層厚度,明顯偏小。
圖6. FIB切割后OSP膜層觀察及膜層厚度測量結果
6.上錫性驗證 為了確認二次回流NG批次PCB光板確實存在上錫不良現象及降低爐溫后上錫性變正常,對二次回流NG批次PCB光板及降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板分別進行上錫性驗證。 (備注:降低爐溫后回流曲線滿足標準IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求。) 二次回流NG批次PCB光板浸錫后,多數通孔孔環表面發現明顯潤濕不良現象,而降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板浸錫后,通孔孔環潤濕完好。 以上結果表明:當爐溫調低到標準IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求的范圍內時,NG批次PCB光板上錫正常,即NG批次PCB光板可焊性滿足標準要求;初始爐溫曲線峰值溫度最高245.3℃,位于標準IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求的上限。
圖7.降低爐溫后的二次回流爐溫
圖8.初始爐溫下二次回流爐溫
圖9.二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片
圖10.降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片 7.錫樣成分測試分析 分析得出錫樣為錫銀銅合金。對于波峰焊接錫爐成分,行業一般采用錫銅合金,以避免通孔孔銅被過度咬蝕,建議錫爐采用錫銅合金,但本案件中錫爐成分不是導致OSP上錫不良的原因。
8.總結與建議 對比NG批次PCB光板與對比PCB光板FT-IR、XPS及FIB分析結果可知:二者膜層成分比較接近:有機物有芳香環結構(π-π),銅主要為氯化亞銅(CuCl),但二者膜厚存在明顯差異,前者與后者OSP膜厚平均值分別為225.9nm、585.5nm,即NG批次PCB光板OSP膜厚明顯偏薄,故其相較于對比PCB光板,耐熱能力偏低。 綜上所述,二次回流后OSP膜上錫不良的原因包括: ①相對較高的回流溫度; ②OSP膜相對偏薄,耐熱能力相對偏低。 建議: 1. 適當降低回流峰值溫度,避免OSP膜層承受較高溫度沖擊; 2. 適當增加OSP膜層厚度,提高其耐熱能力。





